个人简介

陆芹，讲师，女，1990年3月出生，中共党员，微电子学与固体电子学专业博士，西安邮电大学电子科学与技术专业硕士生导师。

2014年至2019年就读于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固体电子学专业，师从张进成教授，期间曾多次往返于南京大学、中科院半导体所、香港、日本，进行交流学习，并获得工学博士学位。同年入职西安邮电大学电子工程学院微电子学系从事教学与科研工作。研究方向围绕新型半导体材料与器件制备工艺与性能研究，主要包括宽禁带半导体传感器件、光电器件与功率器件研究，二维半导体材料与器件研究，在异质结构输运特性理论分析、高质量二维半导体薄膜及异质结构材料生长制备、高性能半导体光电子器件制备等方面的工作，积累了丰富的研究成果与经验。近年来发表SCI检索的学术论文多篇，参与撰写了《Inorganic Flexible Optoelectronics: Materials and Applications》一书。主持陕西省自然科学基金项目，主要参与国家自然科学基金项目的研究工作。目前所在西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室，具有较为完备的半导体材料制备及器件制作工艺线，欢迎报考我们团队。

研究方向

研究方向围绕新型半导体材料与器件制备工艺与性能研究，主要包括宽禁带半导体传感器件、光电器件与功率器件研究，二维半导体材料与器件研究，在异质结构输运特性理论分析、高质量二维半导体薄膜及异质结构材料生长制备、高性能半导体光电子器件制备等方面的工作，积累了丰富的研究成果与经验。

教学方向

主要围绕电子科学与技术相关的基础和专业课程，讲授《模拟电子技术基础》、《集成电路工艺与测试》等本科课程和《Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices》等研究生课程。

科研项目

1、陆芹，2023/1-2024/12，基于势垒调控的β型氧化镓基日盲探测器噪声抑制研究，纵向。

2、陈海峰，2023/1-2024/12，超十微米级宽的β-Ga₂O₃单晶纳米带制备及生长机理，纵向。

3、陈海峰，2023/1-2024/12，4英寸19um pitch Si基Micro-LED Dummu Wafer，横向。

4、贾一凡，2022/1-2023/12，不同晶向High-k/β-Ga₂O₃MOS界面形成机理及器件特性改善，纵向。

发表论文

1、Qin Lu, Xiaoyang Li, Haifeng Chen, et al. Study on Black Phosphorus Characteristics Using a Two-Step Thinning Method[J]. Materials, 2022, 15(2): 615；

2、Jiao Fu, Qin Lu*, Guo Li, et al. Characterization of single crystal diamond damaged layer induced Check for updates by ion implantation and restored by varying annealing conditions[J]. Micro and Nanostructures, 2022, 172: 207442;

3、Tao Liu, Haifeng Chen, Ke Ma, Xiaoyang Li, Qin Lu*, et al. Effect of annealing on solar blind photodetector based onβ-Ga₂O₃nanobelt grown by carbothermal reduction[J]. Micro and nanostructures, 2022, 164: 107157.1-107157.7；

4、Di Zhang, Haifeng Chen, Wei He, Zifan Hong, Qin Lu*, et al. Characteristic of flexible β-Ga₂O₃Schottky barrier diode based on mechanical stripping process[J]. Superlattices and Microstructures, 2021, 12(160): 107078.

5、Qin Lu, Cizhe Fang, Yan Liu, Genquan Han, Jincheng Zhang and Yue Hao. Light–Matter Interaction in Black Phosphorus Coupled to a Si Photonic Crystal at Near Infrared Band[J]. IEEE Photonics Journal, 2019, 11(1): 1-10.

会议与工作论文

1、Qin Lu. Study on Photoelectric Properties of Black Phosphorus under Ar Plasma Thinning. The 34rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Montpellier, France, 2018.

2、Qin Lu. Experimental investigation of the Contact Resistance of Graphene-MoS₂. 2017 the International conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, 2017.

3、Qin Lu. Graphene homogeneous research of van der Waals epitaxial growth. The 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Beijing, China, 2016.

4、Qin Lu. Influence of the twisted angles and the growing parameters of transferred graphene by a polarizing Raman. The 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Xi'an, Westin, 2016.

电子邮箱 luqin@xupt.edu.cn