郭三栋，西安邮电大学副教授，硕导。2012年获中科院物理所博士学位。最近研究集中在二维压电材料的理论计算与设计。 以本人或者学生为第一作者发表于JMCC, Nanoscale, PCCP, PRB, NJP, APL等SCI文章68篇（第一作者64篇），被引用1500余次（Google），其中2篇被引100多次。H-index 23 (Google)。担任JMCA, Nanoscale, JMCC, JPCL, PCCP,ACS Applied Materials & Interfaces, NJP,APL等30余种期刊审稿人。2019年入选陕西省普通高校青年杰出人才支持计划。入选英国皇家化学会物理化学类期刊2019年“Top 1%高被引作者排行榜”。“全国热电材料及应用专家学术影响力排名100强(2020年8月)”中排名第37位。获得英国皇家物理学会2021年“高被引文章奖”。2020年度科学影响力TOP10万全科科学家榜单，进入世界前4万名。
讲座内容简介：二维压电材料的发现为压电电子学效应的研究提供了新的平台，并在纳米能源、自驱动系统、光电子等领域显示出巨大的应用潜力。二维材料中其他众多新奇的物理特性如铁磁，拓扑，谷特性等也逐步被发现，压电电子学与上述特性之间的耦合有望产生更多新的物理效应以及器件应用领域。最近，我们通过第一性原理材料计算预言了压电和拓扑共存的二维材料SrAlGaSe4，也称为压电量子自旋霍尔绝缘体。报告将从研究背景，结构稳定性，电子拓扑性质，压电性质等方面进行介绍。
