报告时间：2021年4月9日下午14:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：低维异质结的计算研究

报告人：程开博士

报告简介：

异质结在现代电子、光电子和光催化等领域发挥了十分重要的作用。近年来，石墨烯等二维材料的迅速发展进一步激发了人们对异质结的研究热情。带阶和肖特基势垒是异质结中的重要物理量，其直接决定了异质结中激发载流子的迁移方向。此外，激发载流子的迁移还受到材料缺陷和异质结界面结构的影响。密度泛函理论和含时密度泛函理论作为计算半导体物理的主流计算方法，在研究材料的基态本征属性和激发态性质时发挥了十分重要的作用。

本报告将简要介绍异质结带阶和肖特基势垒的研究现状，并针对两大类低维异质结进项详细的阐述，一类为由两种二维材料构成的层内异质结，另一类为由二维材料和传统半导体构成的异质结。重点阐述报告人及所在团队基于密度泛函理论在二维层内异质结方面进行的工作，澄清二维层内异质结带阶的特点及量子限域效应对异质结电子结构的影响，此外以CdS/MoS₂为例基于含时密度泛函理论解析异质结中光激发载流子的动力学界面迁移过程，并对上述两类低维异质结在实际应用中将面临的问题进行初步探讨。

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电子工程学院

二零二一年四月七日